Carbure de silicium grossier

Carbure de silicium grain 100 Description

Les dispositifs électroniques de puissance à semi-conducteurs-haute puissance de troisième-génération représentés par SiC sont l'un des dispositifs à semi-conducteurs de puissance à la croissance la plus rapide dans le domaine de l'électronique de puissance.

Le carbure de silicium, en tant que représentant typique de la troisième génération de matériaux semi-conducteurs, mais également la technologie de production de cristaux et le niveau de fabrication de dispositifs les plus matures, l'un des matériaux semi-conducteurs à large bande passante les plus largement utilisés, a formé une chaîne industrielle mondiale de matériaux, de dispositifs et d'applications. Il s'agit d'un matériau semi-conducteur idéal pour les applications à haute-température, haute-fréquence, résistance aux rayonnements-et haute-puissance.

Spécifications des produits en carbure de silicium

Fournisseurs de produits en carbure de silicium-ZhenAn International

Fabricant de carbure de silicium 100 grains-ZhenAn International

Fournisseur de poudre SiC-ZhenAn

Propriétés mécaniques :haute dureté (dureté Kjeldahl de 3000 kg/mm²), peut couper le rubis ; haute résistance à l'usure, juste derrière le diamant.

Propriétés thermiques :conductivité thermique supérieure à celle du cuivre métallique, 3 fois celle du Si et 8 à 10 fois celle du GaAs, bonne dissipation thermique, très importante pour les appareils de forte puissance.

Propriétés chimiques :la résistance à la corrosion est très forte, à température ambiante peut résister à presque tous les agents corrosifs connus. L'oxydation facile de la surface du SiC pour générer une fine couche de SiO2 peut empêcher son oxydation ultérieure, à plus de 1 700 degrés, cette couche de film d'oxyde fond et une réaction d'oxydation rapide. Le SiC peut être dissous dans un matériau oxydant fondu.

Propriétés électriques :La bande interdite du 4H-SiC et du 6H-SiC est environ 3 fois celle du Si, 2 fois celle du GaAs ; son intensité de champ électrique de claquage est d'un ordre de grandeur supérieure à celle du Si, et le taux de dérive des électrons à saturation est 2,5 fois celui du Si. 4H-SiC a une bande interdite plus large que le 6H-SiC.

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FAQ

Q : Le prix est-il négociable ?

R : Oui, n'hésitez pas à nous contacter à tout moment si vous avez des questions. Et pour les clients qui souhaitent élargir le marché, nous ferons de notre mieux pour les accompagner.

Q : Pouvez-vous fournir des échantillons gratuits ?

R : Oui, nous pouvons fournir des échantillons gratuits aux clients pour qu'ils puissent vérifier la qualité ou effectuer des analyses chimiques, mais veuillez nous indiquer les exigences détaillées pour que nous puissions préparer les bons échantillons.

Q : Quand pouvez-vous livrer les marchandises ?

A: Habituellement, nous pouvons livrer les marchandises dans les 15 à 20 jours après réception du paiement anticipé ou du L/C original.

Q : Pouvez-vous fournir un rapport de test émis par SGS ou par une autre inspection tierce-?

R : Oui, nous pouvons le faire si les clients demandent des rapports de test-tiers.

Nous espérons sincèrement être votre partenaire, nous invitons les nouveaux et anciens clients à visiter le guide ainsi que diverses formes de négociations de coopération commerciale !

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