Métal métallique de haut niveau
Description des produits
La méthode de préparation des échantillons en dissolvant, évaporant, puis en faisant fondre le résidu avec un solvant résout le problème de la fusion directe du silicium en métal pour la préparation des échantillons. Il permet la détermination simultanée de divers éléments d'impureté dansen silicium en silicium, élimine l'influence des effets de la matrice, surmonte les limites des échantillons standard sur les mesures, a une large plage de mesure et une grande précision. Les conditions de préparation des échantillons ont été déterminées en organisant des expériences orthogonales.
Paramètres de produits
| Aviation | Composition | ||||
| Contenu SI (%) | Impuretés (%) | ||||
| Fe | Al | Californie | P | ||
| Silicon Metal 1501 | 99.69 | 0.15 | 0.15 | 0.01 | Moins ou égal à 0. 004% |
| Silicon Metal 1502 | 99.68 | 0.15 | 0.15 | 0.02 | Moins ou égal à 0. 004% |
| Silicon Metal 1101 | 99.79 | 0.1 | 0.1 | 0.01 | Moins ou égal à 0. 004% |
| Silicon Metal 2202 | 99.58 | 0.2 | 0.2 | 0.02 | Moins ou égal à 0. 004% |
| Silicon Metal 2502 | 99.48 | 0.25 | 0.25 | 0.02 | Moins ou égal à 0. 004% |
Image de coopération des produits
1.Afin de réduire la difficulté des processus ultérieurs dans le lavage acide deen silicium en silicium, une nouvelle technologie d'oxydation humide est ajoutée à la technologie de lavage d'acide à température ambiante mature pour la purification du silicium métallique. La fonction principale du lavage d'acide est d'éliminer la plupart des impuretés métalliques exposées à la surface des particules de silicium métalliques; Après oxydation humide, le bore, qui a un petit coefficient de condensation dans la structure interne des particules (dans le système de silicium et de silice), diffuse dans la silice à des températures élevées, puis la couche d'oxyde et les impuretés qui y sont contenues sont gravées. Des expériences ont montré que cette méthode a un effet purifiant significatif sur les impuretés du bore, la teneur en impureté de bore étant aussi faible que 4 × 10 ^ -6 après purification. Les deux technologies sont compatibles en termes de processus et complémentaires dans les objectifs de purification, ce qui en fait une méthode de purification à faible énergie et à faible coût très efficace.
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